高压MOSFET电流采样电路

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510135784.3 （22）申请日 2015.03.26

（71）申请人 深圳市英特源电子有限公司

地址 518000 广东省深圳市龙岗区南湾街道百门前工业区21栋3楼

（10）申请公布号 CN104764924A

（43）申请公布日 2015.07.08

（72）发明人 田欢;裘伟光

（74）专利代理机构 广州科粤专利商标代理有限公司

代理人 王少强

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

高压MOSFET电流采样电路

（57）摘要

本发明公开了一种高压MOSFET电流采样

电路，包括开关控制模块、电压取样模块、电压/电流转换模块和电压输出模块；开关控制模块控制该电流取样电路的取样时间点，电压取样模块获取取样电压，电压/电流转换模块将取样电压转换为取样电流，然后通过电压输出模块输出相应的电压。本发明直接取样高压功率MOSFET开关器件的漏极和源极之间的电压差，以判断流经该高压功率MOSFET开关器件的电流，避免了传统技术

中增设取样元件而导致功率损耗的问题；同时，通过时序信号控制开关控制模块的开启与关闭，以适应不同输入电压范围，并提高了采样电流的精度，降低了生产成本。

法律状态

法律状态公告日

2015-07-08 2015-07-08 2015-07-08 2015-08-05 2015-08-05 2015-08-05 2017-12-15 2017-12-15 2018-01-09

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效 著录事项变更 著录事项变更 授权

法律状态

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权利要求说明书

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说明书

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