快前沿纳秒高压脉冲源的开发及实验研究

2020-08-03 来源：尚佳旅游分享网

　第16卷　第11期　2004年11月

强激光与粒子束

HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS

Vol.16,No.11　

Nov.,2004　

文章编号:　100124322(2004)1121434203

快前沿纳秒高压脉冲源的开发及实验研究

谭坚文1,　石立华1,　李炎新1,　张力群1,　谢彦召2

(1.解放军理工大学工程兵工程学院,江苏南京210007;　2.西北核技术研究所,陕西西安710024)

　　摘　要:　针对国际电工委员会1996年制定的IEC610002229和美国国防部1999年修定的MIL2STD2461E标准提出的高空核爆电磁脉冲波形,研制了一台新型纳秒高压脉冲源。其产生的双指数波脉冲前沿小于3ns,脉宽58ns,幅度可达4kV,此外还可产生前沿小于2ns、幅度最高为4kV的脉冲方波;两种脉冲均可实现单次和间歇可调输出。介绍了脉冲源的电路设计和调试结果,通过实验对比了MIL2STD2461E与MIL2STD2461D两种双指数波形条件下某测控系统模块的干扰耦合效应。

　　关键词:　核爆电磁脉冲;　高压脉冲发生器;　辐射干扰;　电磁兼容　　中图分类号:　TH752.5　　　　文献标识码:　A

　　高空核爆电磁脉冲(HEMP)的典型波形分为早期、中期和晚期三种不同表述形式。就早期波形来说,其波形参数的定义,在1996年国际电工委员会(IEC)制定的IEC610002229[1]和1999年美国国防部(DOD)修订的MIL2STD2461E[2]中均采用图1所示的波形,上升时间tr(10%～90%)为2.5ns,下降时间tf(90%～10%)为55ns;峰值电场强度为50kV/m。该波形参数与较早颁布的MIL2STD2461D[3]有较大差别。文献[4]对已颁布的

各种高空核爆电磁脉冲波形标准进行了对比,而文献[5]则通过理论计算,讨论了MIL2STD2461D规定的和IEC1996年推荐的HEMP对长电缆的不同耦合效应。　　以往大量的HEMP效应试验是针对MIL2STD2461D标准波形进行的,为适应新的电磁脉冲环境模拟试验的需要,有必要研制符合MIL2STD2461E标准的高压脉冲源发生器。本文介绍的纳秒高压脉冲源波形上升时间和下降时间符合新的HEMP波形参数要求,脉冲最高幅值在4kV下连续可调,脉冲重复频率从1Hz至数Hz可变。利用这一设备提供的测试波形,在TEM室中实验对比了该脉冲源与基于旧标准的脉冲源产生的辐射环境对电子线路的干扰效应。

Fig.1　Early2timeHEMPdefinedbyIEC610002229andMIL2STD2461E

1　高压脉冲源的组成

图1　新标准定义的HEMP早期波形

　　脉冲源包括直流高压、脉冲形成和触发电路三部分。图2为其结构示意图。直流高压部分采用240V/10kV变压器升压,经限流电阻和半波整流后,送至高压储能单元,它具有结构简单、可靠性高的特点。高压储能单元主要由3个30kV的电容组成,能在脉冲重复频率较高的情况下及时给放电电容C1或方波成形线充电。

Fig.2　DiagramofthehighvoltagepulsegeneratorFig.3　Schematicofthedischargingcircuit

图2　脉冲源结构示意图图3　放电回路原理图

X收稿日期:2004203225;　　修订日期:2004207212

基金项目:国家自然科学基金资助课题(编号:60172002;50237040)

),男,硕士研究生,现从事电磁脉冲防护方面的研究工作;E2mail:artan@126.com。作者简介:谭坚文(1980—

第11期　　　　　　　　　　　　　谭坚文等:快前沿纳秒高压脉冲源的开发及试验研究1435

　　双指数波采用电容放电回路产生。该电路可用图3形式的RLC二阶等效电路进行分析,其中L为放电回路的分布电感,它是影响脉冲上升时间的决定因素之一。脉冲上升时间tr与放电回路元件的参数有近似关系[6]tr=2.2L/R。电路模拟表明,当放电电阻R取50Ω,放电电容C取500pF,回路电感为55nH时,该电路输出波形如图4所示,波形指标接近于图1中的参数。　　实验表明,合理设计电路连线和选择无感电容器可保证相应部分的分布电感远小于规定的要求,剩下的对前沿起决定性影响的器件就是脉冲放电开关了。这里采用体积小、重量轻的真空触发管,其标称导通时间满足设计要求,但实际导通速度与施加电压和触发脉冲均有一定关系。电路设计时应保证触发脉冲上升时间小于μs,宽度大于1μs,开路峰值电压大于最小触发电压,触发源阻抗应小于15kΩ[7]。触发信号也采用电容放电的1

形式产生,经脉冲变压器升压后脉冲峰值和前沿实测值分别为4kV和40ns左右。通过调节电位器可调节连续触发的频率,为防止电容能量释放过快而损坏,触发频率不能过高,一般以1Hz为好。此外,实验证明,在放电回路中并联较小的补偿电容(电容值远小于放电电容)可以较好地起到陡化脉冲前沿的作用。

　　方波的产生采用单成形传输线电路,如图5所示。假设充电电压值为U0,若负载R与传输线特性阻抗Z0相等(阻抗匹配),则当开关K闭合时,在负载上即可获得维持时间为2l/v(v为电压波的传输速度,l为传输线的长度)、幅值为U0/2的方波电压。通过外接成形线来加长传输线的长度即可延长方波的脉冲宽度。

Fig.4　SimulatedwaveformofcapacitancedischargingFig.5　Schematicoftransmission2linedischarging

图4　电容放电模拟波形图5　产生方波的成形线放电原理图

2　脉冲波形

　　图6为负载为50Ω时,采用TDS3032数字存储示波器测量的双指数波和方波输出波形。由图可见,双指数波的脉冲前沿为3ns、脉宽58ns,与图1中的波形标准接近,而最高幅度可达4kV;方波的脉冲前沿为2ns、脉宽100ns。

ΩloadFig.6　Measuredpulseson50图6　负载为50Ω时的脉冲实测波形

3　实验对比分析

　　为考察MIL2STD2461E中HEMP早期波形变窄、前沿变快对系统干扰效应的变化,设计了电磁脉冲辐射干扰对比试验。试验系统框图见图7,其中信号源采用两种双指数波形,分别符合MIL2STD2461D和MIL2STD2461E的波形上升和下降时间要求,前者记为EMP1,后者记为EMP2。TEM室中测试空间设置了一个数字控制模块(DDC),该模块与受控器件通过普通导线连接,这些导线暴露于TEM室内的电磁脉冲环境中,从低到高调节脉冲源输出电压,观察了两种波形分别输入时DDC正常工作开始受到干扰的TEM室负载端波形。以DDC干扰几率超过50%为例,测到的在DDC发生错误动作机率相同的情况下,所施加的两种脉冲波形如图8所示。从图中可见,对于本文采用的系统和设置状态,若取相同的电压幅值,EMP2(即新标准脉冲波形)更容易使系统受

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到干扰而产生误动作。

Fig.7　SchematicofexperimentsystemFig.8　WaveformsofEMPwithDDCinterfered

图7　试验系统框图图8　DDC开始受到干扰时的EMP波形

4　结　论

　　研制的纳秒高压脉冲源能够产生前沿小于3ns的高压脉冲,波形形状符合MIL2STD2461E的要求,幅度在4kV下可调。实验表明,MIL2STD2461的D版本和E版本规定的两种不同电磁脉冲波形对设备的耦合效应是不

一样的。在本文试验中,前沿较快、脉冲较窄的波形对系统的干扰和耦合效应较强。这一结果与受试系统具体

情况相关,更为全面的对比结论尚需进行深入的分析和实验研究。

致谢:　感谢陈子铭教授在仪器研制过程中给予的具体指导和帮助。

参考文献:

[1]　IEC610002229,DescriptionofHEMPenvironment2radiationdisturbance2basicEMCpublication[S].

[2]　MIL2STD2461E,Requirementsforthecontrolofelectromagneticinterferencecharacteristicsofsubsystemsandequipment[S].[3]　MIL2STD2461D,Requirementsforthecontrolofelectromagneticinterferenceemissionsandsusceptibility[S].

[4]　谢彦召,王赞基,王群书,等.高空核爆电磁脉冲波形标准及特征分析[J].强激光与粒子束,2003,15(8):781—787.(XieYZ,WangZJ,WangQ

S,etal.Highaltitudenuclearelectromagneticpulsewaveformstandards:areview.HighPowerLaserandParticleBeams,2003,15(8):781—787)[5]　孙蓓云,周辉,谢彦召.两种高空核电磁脉冲电缆耦合效应的比较[J].强激光与粒子束,2002,14(6):901—904.(SunBY,ZhouH,XieYZ.

ComparisonofthecablecouplingeffectsundertwokindsofHEMPenvironment.HighPowerLaserandParticleBeams,2002,14(6):901—904)[6]　周璧华,陈彬,石立华.电磁脉冲及其工程防护[M].北京:国防工业出版社,2003.(ZhouBH,ChenB,ShiLH.EMPandEMPprotection.Beijing:

NationalDefenseIndustryPress,2003)

[7]　廖复疆.真空电子技术:信息装备的心脏[M].北京:国防工业出版社,1999.(LiaoFJ.Vacuumelectronictechnology:heartofinformationequipments.

Beijing:NationalDefenseIndustryPress,1999)

DevelopmentandexperimentalresearchonthefastrisetimeEMPgenerator

TANJian2wen1,　SHILi2hua1,　LIYan2xin1,　ZHANGLi2qun1,　XIEYan2zhao2

(1.EngineeringInstituteofEngineeringCorps,thePLAUniversityofScienceandTechnology,Nanjing210007,China;

2.NorthwestInstituteofNuclearTechnology,P.O.Box69213,Xi’an710024,China)

　　Abstract:　AnovelhighvoltagepulsegeneratorisdevelopedforthesimulationofHEMPaccordingtothestandardofIEC610002229and

MIL2STD2461E.Thegeneratorcanproducebothsingleandrepeatedpulse.Itsdouble2exponentialoutputhasarisetimelessthan3ns,withthepulsewidtharound58nsandamplitudeupto4kV.Itcanalsogeneratesquarewavewithrisetimelessthan2nsandamplitudeupto4kV.Thecircuitdesignandexperimentaltestofthepulsegeneratorareintroducedinthispaper.ThetestresultisalsopresentedtoshowthedifferenceoftheinterferenceeffectproducedbythenewgeneratorandtheoriginalHEMPdefinedinMIL2STD2461D.

　　Keywords:　Nuclearelectromagneticpulse(NEMP);　Highvoltagepulsegenerator;　Radiatedinterference;　Electromagneticcompati2

bility(EMC)

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