专利名称：氮化镓或氮化铝镓层的制造方法专利类型：发明专利发明人：H·拉尔彻
申请号：CN200980109974.0申请日：20090311公开号：CN101978470A公开日：20110216
摘要：本发明涉及一种在基底(1)上制造组成为AlGaN，其中0≤x≤0.3的氮化物的无裂纹单晶层(5)从而可在层中产生拉伸应力的方法，所述方法包括如下步骤：a)在基底(1)上形成成核层(2)，b)在成核层(2)上形成单晶中间层(3)，c)在中间层(3)上形成单晶种子层(4)，d)在种子层(4)上形成AlGaN氮化物的单晶层(5)。该方法的特征在于：中间层(3)的材料为氮化铝镓；种子层(4)的材料为AlBN化合物，其中硼含量为0至10％；种子层(4)的厚度与中间层(3)的厚度比为0.05至1；形成种子层(4)的温度比形成所述AlGaN氮化物的无裂纹单晶层(5)的温度高50至150℃。
申请人：匹克吉佳国际公司
地址：法国贝南
国籍：FR
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
代理人：程伟
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