专利名称：一种高孔径比衬底穿孔结构专利类型：实用新型专利发明人：陈立均,代文亮,李苏萍申请号：CN202020255749.1申请日：20200305公开号：CN211629103U公开日：20201002
摘要：本实用新型公开了一种高孔径比衬底穿孔结构，包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层，所述晶圆块表面刻制第一金属孔，晶圆块上表面刻制电容下极板，并在电容下极板表面设置第一隔离介质层，第一隔离介质层上刻制第一通孔，第一通孔连通至电容下极板，并在第一隔离介质层上刻制电容上极板，晶圆块下表面刻制第二金属孔，晶圆块下表面刻制背面金属走线并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层，本实用新型优化了衬底通孔的工艺流程，创新性的在衬底两面进行通孔工艺，形成更高孔径比的衬底通孔，以满足各类高性能器件设计的特殊需求。
申请人：上海芯波电子科技有限公司
地址：201203 上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室
国籍：CN
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